Istorija razvoja LED dioda
Otkriće luminiscencije poluvodičkog PN spoja može se pratiti do 1920-ih. Francuski naučnik OWLossow prvi je uočio ovaj fenomen luminescencije kada je proučavao SiC detektore. Zbog ograničenja pripreme materijala i tehnologije uređaja u to vrijeme, ovo važno otkriće nije brzo iskorišteno. Sve do četrdeset godina kasnije, sa napretkom materijala III-V grupe i tehnologije uređaja, ljudi su konačno uspešno razvili GaAsP svetleću diodu koja emituje crveno svetlo praktične vrednosti, koju je GE masovno proizvodio kao indikator instrumenta. Od tada, zbog daljeg razvoja istraživanja GaAs, Gap i drugih materijala i tehnologije uređaja, pored tamnocrvenih LED dioda, na tržištu su se u velikom broju pojavili i LED uređaji uključujući narandžastu, žutu, žuto-zelenu i druge boje.
Iz različitih razloga, LED uređaji kao što su Gap i GaAsP imaju nisku svjetlosnu efikasnost, a intenzitet svjetlosti je obično ispod 10mcd, što se može koristiti samo za potrebe prikaza u zatvorenom prostoru. Iako AlGaAs materijal ulazi u područje indirektnog skoka, svjetlosna efikasnost brzo opada. Sa napretkom poluvodičkih materijala i tehnologije uređaja, posebno rastućom zrelošću epitaksijalnih procesa kao što je MOCVD, početkom 1990-ih, Nichia iz Japana i Cree iz Sjedinjenih Država, respektivno, koristili su MOCVD tehnologiju u GaN baziranim LED epitaksijalnim pločicama sa strukturama uređaja. uspješno uzgajane na safirnim i SiC podlogama, a proizvedeni su plavi, zeleni i ljubičasti LED uređaji visoke svjetline.
Pojava LED uređaja ultra-visoke svjetline otvorila je izuzetno briljantne izglede za širenje polja primjene LED-a. Prvi je da povećanje osvjetljenja tjera da se primjena LED uređaja pomjeri iz zatvorenog prostora u van. Čak i na jakom suncu, ove LED cijevi na nivou cd-a i dalje mogu blistati jako i šareno. Trenutno se široko koristi u vanjskim velikim ekranima, indikacijama statusa vozila, semaforima, LCD pozadinskom osvjetljenju i općem osvjetljenju. Druga karakteristika ultra-sjajnih LED dioda je produženje talasne dužine emisije. Pojava InGaAlP uređaja proširuje emisioni opseg do kratkotalasnog žuto-zelenog područja od 570 nm, dok uređaji zasnovani na GaN dodatno proširuju talasnu dužinu emisije na zelene, plave i ljubičaste trake. Na ovaj način LED uređaji ne samo da čine SVIJET šarenim, već i omogućavaju proizvodnju poluprovodničkih izvora bijele rasvjete. U poređenju sa konvencionalnim izvorima svjetlosti, LED uređaji su izvori hladnog svjetla sa dugim vijekom trajanja i malom potrošnjom energije. Drugo, LED uređaji imaju i prednosti male veličine, čvrste i izdržljive, niskog radnog napona, brzog odziva i lakog povezivanja sa računarima. Statistike pokazuju da je u posljednjih pet godina dvadesetog stoljeća tržište primjene LED proizvoda visoke svjetline zadržalo stopu rasta od više od 40 posto. S oporavkom svjetske ekonomije i početkom projekta bijele rasvjete, vjeruje se da će proizvodnja i primjena LED-a dovesti do većeg vrhunca.
