Poluvodički materijali koji se obično koriste za izrađivanje LED-ova
Izvor svjetlosti LED-a je PN raskrsnici, kako se pravi? Koji su poluvodički materijali koji se obično koriste za izrađivanje LED-ova?
Bitna struktura diode koja emitira svjetlost je poluvodiča PN raskrsnici. Kada se prednji napon nanese na PN spoj, ubrizgava se manjinski nosači, a rekombinacija manjinskih nosača je radni mehanizam diode koja emitira svjetlost. PN se odnosi na strukturu sa susjednim P i N regijama u jednom kristalu. Obično se formira difuzijom, ionskim implantacijom ili rastom na kristalu jednog tipa provodljivosti kako bi se proizveo tanak sloj drugog provodljivosti tipa. sloj je napravljen. Ako je silicijum karbid plavi LED napravljen ionskim implantacijom, GaAs, GaAs0.60P0.40/GaAs0.35P0.65: N/GaP, GaAs0.15P0.85: N/GaP, GaP: ZnO/GaP napravljeni su metodom difuzije Infracrvena, crvena, narančasta, žuta, crvena LED ledenica, dok su GaAlAs, InGaN, InGaAlP ultra-high brightness LEDD-ovi svi napravljeni od raslinja, GaAs, GaP:ZnO/GaP i GaP:N/ GaP LEDPN raskrižja. U poređenju sa metodom difuzije i metodom iona implantacije, spoj rasta je uglavnom previše kompenziran da bi se napravilo PN spoj, a beskorisne nečistoće su previše, što je rezultiralo sniženjem kvaliteta kristala, povećanjem nedostataka i povećanjem upotrebe ne-radijativne rekombinacije, što je rezultiralo sniženjem svetleće efikasnosti.
Poluprovodni materijali koji se obično koriste za proizvodnju LED-ova uglavnom uključuju III-V spojne poluvodiče materijale kao što su galij arsenid, Galijum fosfat, galij aluminijum arsenid, fosfor galija arsenida, indij galijum nitrid, indij-galij aluminijum fosfor itd., kao i poluprovodnici spojeva grupe IV. Silicijanski karbid, grupa II-VI spoj cinka selenida itd.
